G.Skill công bố bộ kit RAM không bộ đệm nhanh nhất thế giới

G.Skill đã hợp tác với Samsung để sản xuất các mô-đun DDR4-280016-16-16-32 (thế hệ RAM Double Data Rate thứ 4, băng thông 2800 MHz, độ trễ 16-16-16-32). Các IC 8 Gb trên RAM được sản xuất theo quy trình 20 nm và điện áp sử dụng chỉ 1,35 V.

Hệ thống RAM DDR4 này sẽ chạy ở chế độ 4 kênh, hỗ trợ công nghệ Intel XMP 2.0 cho phép ép xung mở rộng hiệu suất mà không gây lỗi trên các bo mạch chủ dùng chipset X99. Hình ảnh trên được G.Skill xác nhận đang thử nghiệm bộ kit với bo mạch chủ ASUS X99 Rampage V Extreme và vi xử lý Intel Core-i7 5820K Haswell-E.

Đây chỉ mới là công bố từ G.Skill, công ty vẫn chưa cho biết giá bán cũng như thời điểm lên kệ. Theo thói quen của G.Skill thì sản phẩm mới thường được ra mắt sau từ 2 đến 6 tuần kể từ ngày công bố và rất có thể sẽ trùng với thời điểm Computex 2015 diễn ra vào đầu tháng 6. Hiện tại, một bộ kit RAM DDR4-28000 16 GB (8 GB x 2 thanh) của G.Skill có giá khoảng $790, bộ kit 128 GB trên có thể sẽ đội giá lên theo cấp số nhân.

P/S: Về thắc mắc RAM có bộ đệm (buffered) và không bộ đệm (unbuffered) khác nhau chỗ nào thì theo tìm hiểu của mình: 

• RAM có bộ đệm sẽ có thêm một chip nhớ đệm trên thanh RAM, đòng vai trò trung gian giữa bộ nhớ và CPU. Bộ đệm sẽ giảm tải về mặt điện năng và lưu trữ thông tin tạm thời đối (đệm dữ liệu) trước khi gởi đến CPU. RAM có bộ đệm thường được dùng trong các hệ thống cần dung lượng RAM lớn, chẳng hạn như các máy chủ bởi những hệ thống này sẽ có nhiều mô-đun RAM hơn, nhu cầu điện năng cao hơn do đó việc đệm (buffer) dữ liệu sẽ giảm tải điện năng. Thêm vào đó, một số RAM có bộ đệm được xếp vào loại ECC RAM, tức là nó có thêm một mạch phụ để xác định lỗi dữ liệu và sửa lỗi dữ liệu. Mặc dù việc đệm dữ liệu có thể khiến tốc độ truy xuất của RAM chậm hơn nhưng mang lại độ ổn định cao cho hệ thống và giảm thiểu nguy cơ lỗi bộ nhớ.
• RAM không bộ đệm là loại RAM phổ biến hơn và thường được dùng trên máy tính thông thường. Do không có bộ đệm đóng vai trò đăng ký chỉ thị giữa RAM và vi điều khiển bộ nhớ nên tốc độ truy xuất của RAM cao hơn do dữ liệu không bị tạm hoãn hay đệm lại. Tuy nhiên, rủi ro về lỗi bộ nhớ cũng cao hơn do đặc tính truy xuất ngẫu nhiên các vị trí lưu trữ thông tin và phục hồi thông tin trên RAM.

Nguồn tinhte.vn